项目负责人：

一、创新活动介绍

目前，D-T中子管在生产过程中存在氚靶除气不彻底、供氘工艺不完善、吸气热子激活不合理等比较严重的排气工艺问题，导致成品中子管耐高温性能差，仅能达到135℃，靶压、阳极电流、热丝电流等性能参数一致性差，严重影响了中子管产品质量、工作寿命以及工作效率。

针对上述问题，本次创新活动在大量基础实验的基础上，采用定性和定量的综合分析法，开展了175℃耐高温中子管工艺研究，从靶极耐温、供氘工艺、吸气热子三个方面对传统排气工艺进行了优化改进。与传统排气工艺相比较，经优化改进的排气工艺具有明显的优势，排气工艺优化过程简单易操作、容错率高，采用当前的系统设备就可以实现，不用额外增加成本。采用新的排气工艺生产的中子管工作温度提升至175℃，产额波动降低至0-6%，阳极漏电流降低至25μA，极大地提高了中子管的电真空性能，提升了中子管的成品率，节约成本的同时，提高了产品行业竞争力。

175℃高温中子管工艺研究设备

二、应用效果

 本排气工艺可用于D-D中子管排气、X射线管，以及各类型的中子发生器生产工艺。未采用新工艺前，D-T中子管成品率为90%，每年报废氚靶成本在15万元左右。采用新工艺后，中子管氚靶利用率达到了100%，全部为一类管，无报废氚靶，2020至2022年累计为公司节约50万元成本以上。随着公司业务的不断发展，该创新活动未来预计会为公司节约超过百万元的成本。